Technische Daten & Spezifikationen:
YIG, Wafer Level 1" & 3"
• YIG auf GGG-Substrat: epitaxial gewachsener einkristalliner Yttriumeisengranat • Dicken verfügbar: 100nm, 200nm, 1µm – 20µm • Oberflächenrauheit (RMS): 0,5nm • FMR-Linienbreite (FWHM): 2Oe bei 10GHz • Dickenabweichung (80%, zentral):1% • Polierung: einseitig beschichtet (beidseitig auf Anfrage möglich) • GGG-Substratdicke: 0,5 ± 0,05mm • Kristallographische Orientierung : (111)Aktuelle Verfügbarkeit
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